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Mathematische Modellierung und Simulation der Entstehung, des Wachstums und der Auflösung von Arsenausscheidungen in einkristallinem Galliumarsenid
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 Allgemeine Daten des Projekts
Projekttitel:Mathematische Modellierung und Simulation der Entstehung, des Wachstums und der Auflösung von Arsenausscheidungen in einkristallinem Galliumarsenid
 
Alternative Homepage:http://www.wias-berlin.de/project-areas/phase-tran/crys-grow/ga-as/
Förderzeitraum:01. Oktober 2000 bis 31. Dezember 2003
 
Förderbereich:Ausgewählte Gebiete der Mathematik
- Förderperiode:Neue Mathematische Verfahren in Industrie und Dienstleistungen
-- Förderthema: 
-- anwendungsbezogen:Materialien, Kristallwachstum, Halbleiter
 
Zuwendungsempfänger:Weierstrass Institute für Angewandte Analysis und Stochastik
 
Förderkennzeichen:03DRM3B5
 Verantwortlicher des Projekts
 
Wolfgang Dreyer
dreyer-Ingnorieren Sie das hier bitte-@wias-berlin.de
Letzte Änderung: 15.01.2010 - 16:48:32 

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